國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)宣布為一家領(lǐng)先的消費性電子產(chǎn)品公司的家庭劇院系統(tǒng)，成功測試并量產(chǎn)供應采用其革命性氮化鎵 (GaN) 功率技術(shù)平臺制造的組件。

IR總裁暨執(zhí)行長Oleg Khaykin表示：「采用IR旗下尖端的GaN技術(shù)平臺及IP產(chǎn)品組合之組件進入商用出貨階段，再次成功延伸我們在功率半導體組件市場的領(lǐng)導地位，以及預示功率轉(zhuǎn)換新時代的來臨，這正好與公司旨在協(xié)助客戶節(jié)省能源的重要愿景相輔相成。IR熱切期望，GaN技術(shù)對功率轉(zhuǎn)換市場的影響力能夠至少媲美我們在30年前所推出的功率HEXFET。

有關(guān)成就標志著IR在功率管理市場的策略性優(yōu)勢，藉以帶來高資本效率的組件制造模式。相比先進的硅技術(shù)，GaN技術(shù)平臺能夠為客戶改進主要特定應用的性能指數(shù) (FOM) 多達10倍。這次IR邁向新的里程碑，彰顯出該公司一直致力為客戶提供頂尖的功率管理技術(shù)。

Khaykin總結(jié)稱：「長遠而言，GaN技術(shù)適用于IR所有業(yè)務(wù)單位及產(chǎn)品線。我們欣然見證該技術(shù)有效促進公司長遠收入增長和增加市場占有率。我謹向所有相關(guān)人士致以衷心的謝意，并且祝賀他們?nèi)〉梅欠驳某删��！?/p>

這款開創(chuàng)先河的GaN功率組件技術(shù)平臺，是IR經(jīng)過10年的時間，基于其專有硅上GaN磊晶技術(shù)進行開發(fā)及研究的成果。該高生產(chǎn)量的150mm硅上GaN磊晶和相關(guān)的組件制造程序，能夠全面與IR具備成本效益的硅制造設(shè)施配合，為客戶提供世界級的商業(yè)可行性GaN功率組件制造平臺。

關(guān)于美商國際整流器公司(International Rectifier；IR)

國際整流器公司 (NYSE：IRF)是全球功率管理技術(shù)方面的領(lǐng)導廠商。IR的數(shù)字、模擬和混合訊號IC及其它先進功率管理組件可用來驅(qū)動高效能運算，且為廣泛的商業(yè)和消費者應用節(jié)省能源 。世界上有不少著名的計算機、省電電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、航空和國防系統(tǒng)制造商都倚靠IR的功率管理解決方案來設(shè)計其下一代產(chǎn)品。

(關(guān)鍵字：IR GaN 氮化鎵)